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优锆UG-Y01D纳米氧化钇锂电材料用
技术指标：项目指标型号UG-Y01D外观白色粉末粒径nm30密度g/cm35.01处理前纯度%99.999锂电池专用处理剂%0.02-0.08La2O3ppm10CeO2p
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99.999%纳米氧化钇锂电材料用
技术指标：项目指标型号UG-Y01D外观白色粉末粒径nm30密度g/cm35.01处理前纯度%99.999锂电池专用处理剂%0.02-0.08La2O3ppm10CeO2p
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锂电材料用纳米氧化钇
技术指标：项目指标型号UG-Y01D外观白色粉末粒径nm30密度g/cm35.01处理前纯度%99.999锂电池专用处理剂%0.02-0.08La2O3ppm10CeO2p
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优锆UG-S20纳米二氧化锡透明导电材料用
UG-S20;UG-S50纯 度：光谱法分析测试杂质含量。晶粒度：X衍射（XRD）线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度：GB/T13221纳米粉末粒度分
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低辐射玻璃用纳米氧化锡
UG-S20;UG-S50纯 度：光谱法分析测试杂质含量。晶粒度：X衍射（XRD）线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度：GB/T13221纳米粉末粒度分
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光催化抗菌材料用纳米二氧化锡
UG-S20;UG-S50纯 度：光谱法分析测试杂质含量。晶粒度：X衍射（XRD）线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度：GB/T13221纳米粉末粒度分
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气敏元件材料用纳米氧化锡
UG-S20;UG-S50纯 度：光谱法分析测试杂质含量。晶粒度：X衍射（XRD）线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度：GB/T13221纳米粉末粒度分
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陶瓷釉料遮光剂用纳米氧化锡
UG-S20;UG-S50纯 度：光谱法分析测试杂质含量。晶粒度：X衍射（XRD）线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度：GB/T13221纳米粉末粒度分
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半导体电子工业材料用纳米氧化锡
UG-S20;UG-S50纯 度：光谱法分析测试杂质含量。晶粒度：X衍射（XRD）线宽化法平均晶粒的测定。颗粒度：GB/T13221纳米粉末粒度分
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大量收购ACf 专业回收日立ACF AC835 ACF
3244444444444444423424234223409283490284023324324在无锡，有多家机构和个人回收ACF（Anisotropic Conductive Film，异方性
